Тикшерүче Ян Лянның Тикшерү институтында ТЭМ Окспонм ОЗСЫК КАРАШЫНДА ИМА Семиконт Ораны Микро-Басма белән берләштерелгән, ул беренче тапкыр микроэлектрон компонентларның интеграль лазеры белән берләштерде һәм Диод кебек схемалар, өчәм Тикшеренем нәтиҗәләре күптән түгел "Лазер бастырылган микроэлектроника" исеме буенча "Табигать элемтәсендә" бастырылды.
Электрон продукт җитештерү өчен бастырылган электроника - барлыкка килүче ысуллар куллана. Бу яңа буынның сыгылучылык һәм персоналының характеристикалары белән очраша, һәм микроэлектроника тармагына яңа технологик революция китерәчәк. Соңгы 20 елда инкьегация полиграфиясе, лазер-этәргеч (лифт), яки башка бастыру техникасы функциональ органик һәм инорганик микроэлектрон җайланмаларны чистарту кирәклеген эшләтеп җибәрде. Ләкин, югарыдагы полиграфик ысулларның типик микроннары тәртибендә, гадәттә, дистәләрчә микроннар тәртибендә, еш кына функциональ җайланмалар эшкәртү өчен берничә процесс комбинациясен таләп итә. Лазер микро-нано эшкәртү технологиясе лазер импульслары һәм материаллар арасындагы комплекслы үзара бәйләнешне куллана, һәм традицион ысуллар белән ирешү өчен комплекс функциональ структуралар һәм өстәмә функциональ корылмаларга ирешә ала, бу <100 nm. Ләкин, хәзерге лазер-нано-тукылган структураларның күбесе - бер полимер материаллар яки металл материаллар. Ярымүткәргеч материаллар өчен лазер туры язу ысуллары җитмәү шулай ук Лазер Микро-Нано эшкәртү технологиясен микроэлектрон җайланмалар өлкәсенә гаризасын киңәйтүне кыенлаштыра.

Бу тезиста, Тикшерү Технадында, Германия һәм Австралия тикшерүчеләре өчен полузта технологиясе (1 нче рәсем), һәм югары температуралы лазер бастыру, һәм минималь үзенчәлек зурлыгы <1 μм. Бу алга китеш, ярымүткәргечләрне, ярлы затларның бизәлешләрен һәм бастыру материалларын микроэлектрон җайланмалар функцияләрен көйләү мөмкин итә, бу микроэлектрон җайланмаларны бастыру. Бу нигездә тикшеренү командасы диодларның интеграль лизерын турыдан-туры лидер турыдан-туры аңлады һәм физик яктан кабатланмаган шифрлау схемалары (2 нче рәсем). Бу технология традицион инкжет полиграфиясе һәм башка технологияләр белән туры килә, һәм төрле P-тип һәм N-типтагы ярым оксид материаллары киңәйтеләчәк, комплекс, зур масштаблы, өч үлчәмле функциональ җайланмаларны эшкәртү өчен системалы яңа ысул бирер дип көтелә.

Тезис: https: //www.nature.com/artickickes/s41467-023-36722-7
Пост вакыты: Mar-09-2023