Кытай Фән һәм Технология Университетының Сучжоу алдынгы өйрәнү институтында тикшерүче Ян Лянның тикшеренү төркеме металл оксиды ярымүткәргеч лазер микро-нано җитештерүнең яңа ысулын уйлап тапты, ул ZnO ярымүткәргеч структураларын лазер белән бастыруны субмикрон төгәллеге белән берләштерде. ул металл лазер белән бастыру белән, беренче тапкыр микроэлектрон компонентларның һәм диодлар, триодлар, мемистраторлар һәм шифрлау схемалары кебек интеграль лазерның туры язылуын тикшерде, шулай итеп лазер микро-нано эшкәртү сценарийларын микроэлектроника өлкәсендә киңәйтте. сыгылмалы электроника, алдынгы сенсорлар, интеллектуаль MEMS һәм башка өлкәләрдә куллану перспективалары бар.Тикшеренү нәтиҗәләре күптән түгел "Табигать элемтәләре" ндә "Лазер басылган микроэлектроника" исеме астында бастырылды.
Басылган электроника - электрон продуктлар җитештерү өчен полиграфия ысулларын кулланган барлыкка килүче технология.Ул яңа буын электрон продуктларның сыгылмалылыгы һәм персонализация үзенчәлекләренә туры килә, һәм микроэлектроника индустриясенә яңа технологик революция китерәчәк.Соңгы 20 ел эчендә инжет бастыру, лазер белән җибәрү (LIFT) яки башка полиграфия техникасы чиста мохит кирәксез функциональ органик һәм органик булмаган микроэлектрон җайланмалар ясарга мөмкинлек бирде.Ләкин, югарыдагы бастыру ысулларының типик үзенчәлек күләме, гадәттә, дистәләрчә микрон тәртибендә була, һәм еш кына югары температурадан соң эшкәртү процессын таләп итә, яки функциональ җайланмаларны эшкәртүгә ирешү өчен берничә процесс комбинациясенә таяна.Лазерлы микро-нано эшкәртү технологиясе лазер импульслары һәм материаллар арасындагы сызыксыз үзара бәйләнешне куллана, һәм катлаулы функциональ структураларга һәм җайланмаларның өстәмә җитештерүенә ирешә ала, традицион ысуллар белән <100 nm төгәллеге белән ирешү кыен.Ләкин, хәзерге лазер микро-нано-конструкцияләренең күбесе бер полимер материаллар яки металл материаллар.Ярымүткәргеч материаллар өчен лазерның туры язу ысулларының булмавы шулай ук лазер микро-нано эшкәртү технологиясен микроэлектрон җайланмалар өлкәсендә куллануны киңәйтүне кыенлаштыра.
Бу тезисда, тикшерүче Ян Лян, Германия һәм Австралия тикшерүчеләре белән берлектә, ярымүткәргеч (ZnO) һәм үткәргеч (Pt һәм Ag кебек төрле материалларның композит лазер бастыру) функциональ электрон җайланмалар өчен полиграфия технологиясе буларак инновацион рәвештә лазер бастыруны эшләделәр. (Рәсем 1), һәм югары температурада эшкәртүдән соң бернинди адым да таләп итми, һәм минималь үзенчәлек күләме <1 µm.Бу ачыш үткәргечләр, ярымүткәргечләр, хәтта микроэлектрон җайланмалар функцияләре буенча изоляцион материаллар урнаштыру һәм бастыруны көйләргә мөмкинлек бирә, бу микроэлектрон приборларның төгәллеген, сыгылмалылыгын һәм контрольлеген яхшырта.Бу нигездә, тикшеренү төркеме диодларның, мемристорларның һәм физик яктан репродуктив булмаган шифрлау схемаларының интеграль лазер язуны уңышлы тормышка ашырды (2 нче рәсем).Бу технология традицион инжет бастыру һәм башка технологияләр белән туры килә, һәм төрле P һәм N тибындагы ярымүткәргеч металл оксиды материалларын бастыруга кадәр киңәйтелер, катлаулы, зур масштаблы эшкәртү өчен системалы яңа ысул тәкъдим итәр, өч үлчәмле функциональ микроэлектрон җайланмалар.
Диссертация: https: //www.nature.com/articles/s41467-023-36722-7
Пост вакыты: март-09-2023